IXGT10N170
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGT10N170
Référence TME:
IXGT10N170
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | NPT | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 10A | |
Puissance de dissipation | 110W | |
Boîtier | TO268 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 70A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 32nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 0,3µs | |
Temps d'extinction | 630ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut5 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT SMD IXYS,
* IXGT10N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 16.69 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 16.69 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 15.55 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 15.55 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 12.98 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 12.98 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 12.34 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 12.34 USD