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IXGT10N170A

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO268

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT10N170A
Référence TME:
IXGT10N170A

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
5A
Puissance de dissipation
140W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
20A
Montage
SMD
Charge d'entrée
29nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
107ns
Temps d'extinction
240ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut4 g
Certificates
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*
IXGT10N170A
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