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IXGT16N170

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT16N170
Référence TME:
IXGT16N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
16A
Puissance de dissipation
190W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
Montage
SMD
Charge d'entrée
78nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
90ns
Temps d'extinction
1,6µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut5 g
Certificates
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IXGT16N170
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