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IXGT24N170

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT24N170
Référence TME:
IXGT24N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
24A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
SMD
Charge d'entrée
106nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
105ns
Temps d'extinction
560ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut5 g
Certificates
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IXGT24N170
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