IXGT30N120B3D1
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 300W; TO268
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGT30N120B3D1
Référence TME:
IXGT30N120B3D1
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | GenX3™, PT | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 30A | |
Puissance de dissipation | 300W | |
Boîtier | TO268 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 87nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 56ns | |
Temps d'extinction | 471ns |
Poids brut5 g
Certificates
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* IXGT30N120B3D1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 12.03 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 12.03 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 11.00 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 11.00 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.25 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.25 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.38 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.38 USD