IXGT32N170
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGT32N170
Référence TME:
IXGT32N170
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | NPT | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 32A | |
Puissance de dissipation | 350W | |
Boîtier | TO268 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 155nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Temps de connection | 90ns | |
Temps d'extinction | 920ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut5 g
Certificates
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* IXGT32N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 28.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 28.96 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 23.22 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 23.22 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 18.87 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 18.87 USD