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IXGT32N170A

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT32N170A
Référence TME:
IXGT32N170A

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
21A
Puissance de dissipation
350W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
110A
Montage
SMD
Charge d'entrée
155nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
107ns
Temps d'extinction
370ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut5 g
Certificates
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*
IXGT32N170A
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Prix net pour les quantités de 3 pcs - 27.48 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 27.48 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 24.22 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 24.22 USD
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