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IXGT60N60C3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT60N60C3D1
Référence TME:
IXGT60N60C3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
60A
Puissance de dissipation
380W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
SMD
Charge d'entrée
115nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
54ns
Temps d'extinction
198ns
Poids brut4.02 g
Certificates
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IXGT60N60C3D1
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs