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IXGT6N170

Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGT6N170
Référence TME:
IXGT6N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
3A
Puissance de dissipation
75W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
24A
Montage
SMD
Charge d'entrée
20nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
85ns
Temps d'extinction
0,6µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut4 g
Certificates
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*
IXGT6N170
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 15.96 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 15.96 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 13.51 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 13.51 USD
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