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IXTA08N100P

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 0,8A; 42W; TO263; 750ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTA08N100P
Référence TME:
IXTA08N100P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
0,8A
Puissance de dissipation
42W
Boîtier
TO263
Résistance en état de conduction
20Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
750ns
Poids brut2.5 g
Certificates
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IXTA08N100P
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