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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 20A | |
Puissance de dissipation | 320W | |
Boîtier | TO220AB | |
Résistance en état de conduction | 0,21Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 35nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | ultra junction x-class | |
Temps d'attente | 0,35µs |