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IXTA2N100P

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTA2N100P
Référence TME:
IXTA2N100P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
2A
Puissance de dissipation
86W
Boîtier
TO263
Montage
SMD
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
800ns
Poids brut1.49 g
Certificates
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IXTA2N100P
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