IXTA3N120
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1,2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXTA3N120
Référence TME:
IXTA3N120
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 3A | |
Puissance de dissipation | 200W | |
Boîtier | TO263 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 4,5Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 42nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 700ns |
Poids brut1.495 g
Certificates
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* IXTA3N120Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 6.15 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 6.15 USD