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Fabricant	IXYS
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	Polar™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	500V
Courant du drain	3A
Puissance de dissipation	70W
Boîtier	TO263
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	2Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	9,3nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Temps d'attente	400ns

IXTA3N50P

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolaire; 500V; 3A; 70W; TO263

Spécification