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IXTA4N80P

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolaire; 800V; 3,6A; Idm: 8A


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTA4N80P
Référence TME:
IXTA4N80P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PolarHV™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
3,6A
Courant du drain dans l'impulsion
8A
Puissance de dissipation
100W
Boîtier
TO263
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
3,4Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
14,2nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
560ns
Poids brut2.5 g
Certificates
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IXTA4N80P
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