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IXTA6N100D2

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTA6N100D2
Référence TME:
IXTA6N100D2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
6A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
TO263
Résistance en état de conduction
2,2Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
appauvri
Temps d'attente
41ns
Poids brut2.5 g
Certificates
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IXTA6N100D2
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