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IXTA80N10T

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTA80N10T
Référence TME:
IXTA80N10T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
80A
Puissance de dissipation
230W
Boîtier
TO263
Résistance en état de conduction
14mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
thrench gate power mosfet
Temps d'attente
100ns
Poids brut2.5 g
Certificates
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IXTA80N10T
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