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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 80A | |
Puissance de dissipation | 230W | |
Boîtier | TO263 | |
Résistance en état de conduction | 14mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 60nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | thrench gate power mosfet | |
Temps d'attente | 100ns |