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IXTF200N10T

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 90A; 156W; 76ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTF200N10T
Référence TME:
IXTF200N10T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
90A
Puissance de dissipation
156W
Boîtier
ISOPLUS i4-pac™ x024d
Résistance en état de conduction
7mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
152nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
thrench gate power mosfet
Temps d'attente
76ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXTF200N10T
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