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IXTH120P065T

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolaire; -65V; -120A; 298W; 53ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTH120P065T
Référence TME:
IXTH120P065T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
TrenchP™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-65V
Courant du drain
-120A
Puissance de dissipation
298W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±15V
Résistance en état de conduction
10mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
185nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
53ns
Poids brut6.11 g
Certificates
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IXTH120P065T
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