IXTH4N100L
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1,1us
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXTH4N100L
Référence TME:
IXTH4N100L
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 4A | |
Puissance de dissipation | 290W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 75nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | linear power mosfet | |
Temps d'attente | 1,1µs |
Poids brut6 g
Certificates
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* IXTH4N100LNombre de pièces (Multiplication: 300)
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