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IXTH4N150

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1,5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTH4N150
Référence TME:
IXTH4N150

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,5kV
Courant du drain
4A
Puissance de dissipation
280W
Boîtier
TO247-3
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Charge d'entrée
44,5nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
900ns
Poids brut6.12 g
Certificates
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IXTH4N150
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs