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IXTH52P10P

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolaire; -100V; -52A; 300W; 120ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTH52P10P
Référence TME:
IXTH52P10P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PolarP™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-100V
Courant du drain
-52A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
50mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
120ns
Poids brut6.11 g
Certificates
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IXTH52P10P
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs