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IXTH76P10T

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolaire; -100V; -76A; 298W; 70ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTH76P10T
Référence TME:
IXTH76P10T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
TrenchP™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-100V
Courant du drain
-76A
Puissance de dissipation
298W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±15V
Résistance en état de conduction
25mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
197nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
70ns
Poids brut6.245 g
Certificates
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IXTH76P10T
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs