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IXTJ4N150

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTJ4N150
Référence TME:
IXTJ4N150

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,5kV
Courant du drain
2,5A
Puissance de dissipation
110W
Boîtier
ISO247™
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Charge d'entrée
44,5nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
900ns
Poids brut5 g
Certificates
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IXTJ4N150
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