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IXTN120P20T

Module; transistor simple; -200V; -106A; SOT227B; vissés; 830W

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTN120P20T
Référence TME:
IXTN120P20T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
-200V
Courant du drain
-106A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
30mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
-400A
Puissance de dissipation
830W
La technologie
TrenchP™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
740nC
Temps d'attente
300ns
Tension entrée-source
±15V
Montage mécanique
vissés
Poids brut29.575 g
Certificates
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IXTN120P20T
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