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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	55V
Courant du drain	550A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	1,3mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	1,65kA
Puissance de dissipation	940W
La technologie	GigaMOS™, TrenchT2™
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	595nC
Temps d'attente	100ns
Tension entrée-source	±30V
Montage mécanique	vissés

IXTN550N055T2

Module; transistor simple; 55V; 550A; SOT227B; vissés; Idm: 1,65kA

Spécification