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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	500V
Courant du drain	53A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	0,1Ω
Courant du drain dans l'impulsion	150A
Puissance de dissipation	735W
La technologie	Linear L2™
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	610nC
Temps d'attente	980ns
Tension entrée-source	±40V
Montage mécanique	vissés

IXTN60N50L2

Module; transistor simple; 500V; 53A; SOT227B; vissés; Idm: 150A

Spécification