IXTN660N04T4
Module; transistor simple; 40V; 660A; SOT227B; vissés; Idm: 1,8kA
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXTN660N04T4
Référence TME:
IXTN660N04T4
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 40V | |
Courant du drain | 660A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 0,85mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1,8kA | |
Puissance de dissipation | 1,04kW | |
La technologie | TrenchT4™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 0,86µC | |
Temps d'attente | 60ns | |
Tension entrée-source | ±15V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.07 g
Certificates
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* IXTN660N04T4
Produit retiré de l'offre
Méthode d'emballage par le fabricant:Tube = 10 pcs