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IXTP10N60P

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTP10N60P
Référence TME:
IXTP10N60P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
10A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO220AB
Résistance en état de conduction
0,74Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
32nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
0,5µs
Poids brut2.07 g
Certificates
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*
IXTP10N60P
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.26 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.26 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.72 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.72 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 3.05 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 3.05 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 2.73 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 2.73 USD
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 2.19 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 2.19 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs