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IXTP3N100P

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTP3N100P
Référence TME:
IXTP3N100P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
3A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
TO220AB
Montage
THT
Charge d'entrée
36nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
standard power mosfet
Temps d'attente
820ns
Poids brut3 g
Certificates
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IXTP3N100P
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