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IXTP3N120

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTP3N120
Référence TME:
IXTP3N120

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
3A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,5Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
42nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
700ns
Poids brut2.077 g
Certificates
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IXTP3N120
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