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IXTP80N12T2

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTP80N12T2
Référence TME:
IXTP80N12T2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
120V
Courant du drain
80A
Puissance de dissipation
325W
Boîtier
TO220AB
Résistance en état de conduction
17mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
thrench gate power mosfet
Temps d'attente
90ns
Poids brut3 g
Certificates
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IXTP80N12T2
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