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IXTQ60N20L2

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTQ60N20L2
Référence TME:
IXTQ60N20L2

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
60A
Puissance de dissipation
540W
Boîtier
TO3P
Résistance en état de conduction
45mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
255nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
linear power mosfet
Temps d'attente
330ns
Poids brut5.5 g
Certificates
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IXTQ60N20L2
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