IXTR200N10P
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolaire; 100V; 120A; 300W; 100ns
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXTR200N10P
Référence TME:
IXTR200N10P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 120A | |
Puissance de dissipation | 300W | |
Boîtier | ISOPLUS247™ | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 8mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 235nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 100ns |
Poids brut4.785 g
Certificates
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* IXTR200N10PNombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 15.54 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 15.54 USD