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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | TrenchP™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -100V | |
Courant du drain | -195A | |
Puissance de dissipation | 390W | |
Boîtier | ISOPLUS247™ | |
Tension entrée-source | ±15V | |
Résistance en état de conduction | 8mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 740nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 200ns |