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IXTT10N100D

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTT10N100D
Référence TME:
IXTT10N100D

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
10A
Courant du drain dans l'impulsion
20A
Puissance de dissipation
400W
Boîtier
TO268
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,4Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
130nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
appauvri
Temps d'attente
850ns
Poids brut4 g
Certificates
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IXTT10N100D
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