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IXTT8P50

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTT8P50
Référence TME:
IXTT8P50

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-500V
Courant du drain
-8A
Puissance de dissipation
180W
Boîtier
TO268
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,2Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
130nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
400ns
Poids brut4.04 g
Certificates
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IXTT8P50
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs