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IXTY18P10T

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolaire; -100V; -18A; 83W; TO252


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXTY18P10T
Référence TME:
IXTY18P10T

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
TrenchP™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-100V
Courant du drain
-18A
Puissance de dissipation
83W
Boîtier
TO252
Tension entrée-source
±15V
Résistance en état de conduction
0,12Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
39nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Temps d'attente
62ns
Poids brut0.312 g
Certificates
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IXTY18P10T
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 70 pcs