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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | PolarP™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -500V | |
Courant du drain | -2A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -6A | |
Puissance de dissipation | 58W | |
Boîtier | TO252 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 4,2Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 11,9nC | |
Genre de canal | enrichi | |
Temps d'attente | 300ns |