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IXXA50N60B3

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXXA50N60B3
Référence TME:
IXXA50N60B3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
600W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
SMD
Charge d'entrée
70nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
75ns
Temps d'extinction
320ns
Poids brut2 g
Certificates
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IXXA50N60B3
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