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IXXH100N60B3

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXXH100N60B3
Référence TME:
IXXH100N60B3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
100A
Puissance de dissipation
830W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
480A
Montage
THT
Charge d'entrée
143nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
92ns
Temps d'extinction
350ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXXH100N60B3
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