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IXXH50N60B3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXXH50N60B3D1
Référence TME:
IXXH50N60B3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
600W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
70nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
75ns
Temps d'extinction
320ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXXH50N60B3D1
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