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IXXH60N65B4H1

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXXH60N65B4H1
Référence TME:
IXXH60N65B4H1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX4™, Trench, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
60A
Puissance de dissipation
536W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
265A
Montage
THT
Charge d'entrée
86nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
94ns
Temps d'extinction
208ns
Poids brut6.08 g
Certificates
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IXXH60N65B4H1
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs