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IXXN110N65B4H1

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXXN110N65B4H1
Référence TME:
IXXN110N65B4H1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
110A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
650A
Puissance de dissipation
750W
La technologie
GenX4™, XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut30 g
Certificates
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IXXN110N65B4H1
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