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IXYA15N65C3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYA15N65C3D1
Référence TME:
IXYA15N65C3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
15A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
Montage
SMD
Charge d'entrée
19nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
36ns
Temps d'extinction
102ns
Poids brut1.49 g
Certificates
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IXYA15N65C3D1
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Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs