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IXYA20N65C3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYA20N65C3D1
Référence TME:
IXYA20N65C3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
200W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
105A
Montage
SMD
Charge d'entrée
30nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
51ns
Temps d'extinction
132ns
Poids brut1.496 g
Certificates
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IXYA20N65C3D1
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs