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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | GenX3™, Planar, XPT™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 20A | |
Puissance de dissipation | 200W | |
Boîtier | TO263 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 105A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 30nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 51ns | |
Temps d'extinction | 132ns |