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IXYA30N120A4HV

Transistor: IGBT; 1,2kV; 106A; 500W; D2PAK

NOUVEAUTÉ

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYA30N120A4HV
Référence TME:
IXYA30N120A4HV

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
106A
Puissance de dissipation
500W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
184A
Montage
SMD
Charge d'entrée
57nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut1 g
Certificates
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IXYA30N120A4HV
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