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IXYA8N250CHV

Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYA8N250CHV
Référence TME:
IXYA8N250CHV

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
XPT™
Tensions collecteur-émetteur
2,5kV
Courant du collecteur
8A
Puissance de dissipation
280W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
70A
Montage
SMD
Charge d'entrée
45nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
24ns
Temps d'extinction
328ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut2 g
Certificates
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IXYA8N250CHV
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