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IXYH30N170C

Transistor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 30A; 937W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYH30N170C
Référence TME:
IXYH30N170C

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
XPT™
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
937W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
255A
Montage
THT
Charge d'entrée
150nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
49ns
Temps d'extinction
327ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut6.1 g
Certificates
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IXYH30N170C
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