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IXYH50N120C3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 625W; TO247-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYH50N120C3D1
Référence TME:
IXYH50N120C3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
625W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
210A
Montage
THT
Charge d'entrée
142nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
96ns
Temps d'extinction
0,22µs
Poids brut6.08 g
Certificates
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IXYH50N120C3D1
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs